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Siehe Technische Spezifikationen

PMD2001D,115 +BOM

Transistor MOSFET Driver NPN, PNP (Emitter Coupled) 40V 600mA Surface Mount 6-TSOP

Hersteller:

Nexperia
Herstellerteil #:

PMD2001D,115
Datenblatt:

PMD2001D,115 Datenblatt (PDF)
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

NPN, PNP
Configuration:

Dual
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

40 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an PMD2001D,115

PMD2001D,115 Allgemeine Beschreibung

NPN/PNP transistor pair connected as push-pull driver in a SOT457 (SC-74) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.

Hauptmerkmale

Low power consumption and high efficiency
Fast response time and wide bandwidth
Precision current control for reliable operation
Simplified thermal management
Robust design for reliable performance

Anwendung

Logic level translator
High power PWM driver
Isolated gate driver

Spezifikationen

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style	SMD/SMT
Transistor Polarity	NPN, PNP	Configuration	Dual
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	40 V	Collector- Base Voltage VCBO	40 V
Emitter- Base Voltage VEBO	-	Collector-Emitter Saturation Voltage	300 mV, 280 mV
Maximum DC Collector Current	600 mA	Pd - Power Dissipation	540 mW
Gain Bandwidth Product fT	-	Minimum Operating Temperature	- 65 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Qualification	AEC-Q101
Continuous Collector Current	600 mA	DC Collector/Base Gain hfe Min	100
DC Current Gain hFE Max	300	Height	1 mm
Length	3.1 mm	Product Type	BJTs - Bipolar Transistors
Factory Pack Quantity	3000	Subcategory	Transistors
Technology	Si	Width	1.7 mm
Part # Aliases	934059684115	Unit Weight	0.000381 oz

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