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Siehe Technische Spezifikationen

PMD3001D,115 +BOM

Transistor MOSFET Driver NPN, PNP (Emitter Coupled) 40V 1A Surface Mount 6-TSOP

Hersteller:

Nexperia
Herstellerteil #:

PMD3001D,115
Datenblatt:

PMD3001D,115 Datenblatt (PDF)
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

NPN, PNP
Configuration:

Dual
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

40 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an PMD3001D,115

PMD3001D,115 Allgemeine Beschreibung

NPN/PNP transistor pair connected as push-pull driver in a SOT457 (SC-74) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.

Hauptmerkmale

Low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistors in push-pull configuration
Application-optimized pinout
Space-saving solution
Internal connections to minimize layout effort
Reduces component count
AEC-Q101 qualified

Anwendung

MOSFET driver
Power bipolar transistor driver
Output current booster for operational amplifier

Spezifikationen

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style	SMD/SMT
Transistor Polarity	NPN, PNP	Configuration	Dual
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	40 V	Collector- Base Voltage VCBO	40 V
Emitter- Base Voltage VEBO	-	Collector-Emitter Saturation Voltage	360 mV, 400 mV
Maximum DC Collector Current	600 mA	Pd - Power Dissipation	580 mW
Gain Bandwidth Product fT	-	Minimum Operating Temperature	- 65 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Qualification	AEC-Q101
Continuous Collector Current	1 A	DC Collector/Base Gain hfe Min	300
DC Current Gain hFE Max	830, 640	Height	1 mm
Length	3.1 mm	Product Type	BJTs - Bipolar Transistors
Factory Pack Quantity	3000	Subcategory	Transistors
Technology	Si	Width	1.7 mm
Part # Aliases	934059685115	Unit Weight	0.000385 oz

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