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Siehe Technische Spezifikationen

PMP5501Y,135 +BOM

45 V, 100 mA PNP/PNP matched double transistor

Hersteller:

Nexperia
Herstellerteil #:

PMP5501Y,135
Datenblatt:

PMP5501Y,135 Datenblatt (PDF)
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

PNP
Configuration:

Dual
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

45 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an PMP5501Y,135

PMP5501Y,135 Allgemeine Beschreibung

Discover the versatility of the PMP5501Y, a PNP/PNP matched double transistor housed in a very small SOT363 (SC-88) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. With a hFE1/hFE2 complement of 0.98 and complementing PNP/NPN counterparts (PMP5201Y and PMP4501Y), this transistor is an ideal choice for compact electronic applications, delivering reliable and consistent performance in constrained circuit designs

Hauptmerkmale

Current gain matching
Base-emitter voltage matching
Application-optimized pinout
AEC-Q101 qualified

Anwendung

Current mirror
Differential amplifier

Spezifikationen

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style	SMD/SMT
Transistor Polarity	PNP	Configuration	Dual
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	45 V	Collector- Base Voltage VCBO	50 V
Emitter- Base Voltage VEBO	5 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	200 mV
Maximum DC Collector Current	100 mA	Pd - Power Dissipation	300 mW
Gain Bandwidth Product fT	175 MHz	Minimum Operating Temperature	- 65 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	DC Collector/Base Gain hfe Min	200 at 2 mA, 5 V
DC Current Gain hFE Max	200 at 2 mA, 5 V	Height	1 mm
Length	2.2 mm	Product Type	BJTs - Bipolar Transistors
Factory Pack Quantity	10000	Subcategory	Transistors
Technology	Si	Width	1.35 mm
Part # Aliases	934059037135	Unit Weight	0.000212 oz

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