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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

PMBFJ111 T/R +BOM

Industrial-grade construction guarantees consistent operation under extreme environmental condition

Hersteller:

NXP
Herstellerteil #:

PMBFJ111 T/R
Datenblatt:

PMBFJ111 T/R Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

N-Channel
Configuration:

Single
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an PMBFJ111 T/R

PMBFJ111 T/R Allgemeine Beschreibung

JFET N-Channel 40 V 300 mW Surface Mount SOT-23 (TO-236AB)

Spezifikationen

Product Category	JFET	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Transistor Polarity	N-Channel
Configuration	Single	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	40 V
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage	- 40 V	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Height	1 (Max) mm	Length	3 (Max) mm
Maximum Drain Gate Voltage	- 40 V	Product Type	JFETs
Factory Pack Quantity	3000	Subcategory	Transistors
Type	JFET	Width	1.4 (Max) mm
Part # Aliases	PMBFJ111,215	Unit Weight	0.007090 oz

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