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PMZ290UNE2 +BOM

NXP Semiconductors

PMZ290UNE2 Allgemeine Beschreibung

N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1006-3 (SOT883) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.

Hauptmerkmale

  • Trench MOSFET technology
  • Low threshold voltage
  • Very fast switching
  • ElectroStatic Discharge (ESD) protection: 2 kV HBM
  • Leadless ultra small SMD plastic package: 1.0 x 0.6 x 0.48 mm

Anwendung

  • Relay driver
  • High-speed line driver
  • Low-side load switch
  • Switching circuits

Spezifikationen

Source Content uid PMZ290UNE2 Part Life Cycle Code Transferred
Reach Compliance Code ECCN Code EAR99

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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AVAQ bestimmt und verpackt alle Geräte auf der Grundlage der Schutzanforderungen gegen elektrostatische Entladung (ESD) und Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL)..

Garantie Garantie

Wir versprechen, 365 Tage Qualitätssicherung für alle unsere Produkte zu bieten.

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