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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

PSMN2R0-60PS +BOM

Power Field-Effect Transistor

Hersteller:

NXP
Herstellerteil #:

PSMN2R0-60PS
Datenblatt:

PSMN2R0-60PS Datenblatt (PDF)
Part Life Cycle Code:

Active
Reach Compliance Code:

not_compliant
ECCN Code:

EAR99
Date Of Intro:

2017-02-17
EDA/CAD Modelle:

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Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

Hauptmerkmale

High efficiency due to low switching and conduction losses
Suitable for standard level gate drive sources

Anwendung

DC-to-DC converters
Load switching
Motor control
Server power supplies

Spezifikationen

Source Content uid	PSMN2R0-60PS	Part Life Cycle Code	Active
Reach Compliance Code	not_compliant	ECCN Code	EAR99
Date Of Intro	2017-02-17	Avalanche Energy Rating (Eas)	913 mJ
Case Connection	DRAIN	Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min	60 V	Drain Current-Max (ID)	120 A
Drain-source On Resistance-Max	0.0022 Ω	FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95 Code	TO-220AB	JESD-30 Code	R-PSFM-T3
JESD-609 Code	e3	Number of Elements	1
Number of Terminals	3	Operating Mode	ENHANCEMENT MODE
Polarity/Channel Type	N-CHANNEL	Pulsed Drain Current-Max (IDM)	1135 A
Surface Mount	NO	Terminal Finish	TIN
Terminal Form	THROUGH-HOLE	Terminal Position	SINGLE
Transistor Application	SWITCHING	Transistor Element Material	SILICON

Servicerichtlinien und andere

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