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PUMH18,115 +BOM

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount 6-TSSOP

PUMH18,115 Allgemeine Beschreibung

BRT TRANSISTOR, NPN, 50V, 100MA, 22KOHM / OPEN, 6-SOT-363; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Continuous Collector Current Ic:100mA; Base Input Resistor R1:22kohm; RF Transistor Case:SOT-363; No. of Pins:6 ;RoHS Compliant: Yes

Nexperia Semiconductor (NXP) Inventar

Hauptmerkmale

  • 100 mA output current capability
  • Built-in bias resistors
  • Simplifies circuit design
  • Reduces component count
  • Reduces pick and place costs
  • AEC-Q101 qualified
Nexperia Semiconductor (NXP) Originalbestand

Anwendung

  • Low current peripheral driver
  • Control of IC inputs
  • Replacement of general-purpose transistors in digital applications
Nexperia Semiconductor (NXP) Inventar

Spezifikationen

Mount Surface Mount Number of Pins 6
Ambient Temperature Range High 150 °C Collector Base Voltage (VCBO) 50 V
Collector Emitter Breakdown Voltage 50 V Collector Emitter Saturation Voltage 100 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO) 50 V Element Configuration Dual
Emitter Base Voltage (VEBO) 7 V hFE Min 50
Max Breakdown Voltage 50 V Max Collector Current 100 mA
Max Junction Temperature (Tj) 150 °C Max Operating Temperature 150 °C
Max Power Dissipation 300 mW Min Operating Temperature -65 °C
Number of Elements 2 Packaging Cut Tape (CT)
Polarity NPN Power Dissipation 300 mW
Height 1 mm Length 2.2 mm
Width 1.35 mm

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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AVAQ bestimmt und verpackt alle Geräte auf der Grundlage der Schutzanforderungen gegen elektrostatische Entladung (ESD) und Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL)..

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