Diese Website verwendet Cookies. Durch die Nutzung dieser Website stimmen Sie der Verwendung von Cookies zu. Weitere Informationen finden Sie in unseren Datenschutzrichtlinie.

Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

QPD1010 +BOM

RF JFET Transistors DC-4GHz 10W 28-50V SSG 25dB PAE 70% GaN

Hersteller:

Qorvo, Inc
Herstellerteil #:

QPD1010
Datenblatt:

QPD1010 Datenblatt (PDF)
Transistor Type:

HEMT
Technology:

GaN-on-SiC
Operating Frequency:

4 GHz
Gain:

24.7 dB
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an QPD1010

Email: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

QPD1010 Allgemeine Beschreibung

Qorvo's QPD1010 is a 10 W (P3dB) discrete GaN on SiC HEMT which operates from DC to 4 GHz. The device is constructed with Qorvo's proven QGaN25HV process, which features advanced field plate techniques to optimize power and efficiency at high drain bias operating conditions. This optimization can potentially lower system costs in terms of fewer amplifier line-ups and lower thermal management costs.

The device is housed in an industry-standard 3 x 3 mm surface mount QFN package.

Lead-free and ROHS compliant.

Evaluation boards are available upon request.

Hauptmerkmale

Frequency range: DC - 4 GHz
Output power (P3dB): 11 W at 2 GHz
Linear gain: 24.7 dB typical at 2 GHz
Typical PAE3dB: 70% at 2 GHz
Operating voltage: 50V
Low thermal resistance package
CW and pulse capable
3 x 3 mm package

Anwendung

Civilian Radar
Jammers
Land Mobile Radio Communications
Military Radar
Military Radio
Narrowband Amplifiers
Test Instrumentation
Wideband Amplifiers

Spezifikationen

Product Category:	RF JFET Transistors	Transistor Type:	HEMT
Technology:	GaN-on-SiC	Operating Frequency:	4 GHz
Gain:	24.7 dB	Transistor Polarity:	N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	50 V	Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage:	145 V
Id - Continuous Drain Current:	400 mA	Output Power:	11 W
Minimum Operating Temperature:	- 40 C	Maximum Operating Temperature:	+ 85 C
Pd - Power Dissipation:	13.5 W	Mounting Style:	SMD/SMT
Packaging:	Waffle	Configuration:	Single
Development Kit:	QPD1010-EVB1	Moisture Sensitive:	Yes
Operating Temperature Range:	- 40 C to + 85 C	Product Type:	RF JFET Transistors
Series:	QPD1010	Factory Pack Quantity:	50
Subcategory:	Transistors	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	- 2.8 V
Part # Aliases:	1132873	Unit Weight:	0.081130 oz

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

Zahlung

Bezahlverfahren

TT/Überweisung

Paypal

Western Union

Geldgramm

Für alternative Zahlungskanäle kontaktieren Sie uns bitte unter:

[email protected]

Versand & Verpackung

Versandart

Fedex

UPS

DHL

NTN

Verpackung

AVAQ bestimmt und verpackt alle Geräte auf der Grundlage der Schutzanforderungen gegen elektrostatische Entladung (ESD) und Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL)..