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RN1105,LF(CT +BOM

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 100 mW Surface Mount SSM

Hersteller:

Toshiba Semiconductor
Herstellerteil #:

RN1105,LF(CT
Datenblatt:

RN1105,LF(CT Datenblatt (PDF)
Transistor Type:

NPN - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max):

100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

50 V
Resistor - Base (R1):

2.2 kOhms
EDA/CAD Modelle:

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RN1105,LF(CT Allgemeine Beschreibung

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 100 mW Surface Mount SSM

Spezifikationen

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsBipolar (BJT)Single, Pre-Biased Bipolar Transistors	Series	-
Transistor Type	NPN - Pre-Biased	Current - Collector (Ic) (Max)	100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	50 V	Resistor - Base (R1)	2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)	47 kOhms	DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	80 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 250µA, 5mA	Current - Collector Cutoff (Max)	500nA
Frequency - Transition	250 MHz	Power - Max	100 mW
Mounting Type	Surface Mount	Base Product Number	RN1105
feature-packaging	Tape and Reel	feature-pin-count	3
feature-cecc-qualified	No	feature-esd-protection
feature-military	No	feature-aec-qualified	No
feature-aec-qualified-number		feature-eccn-code	EAR99
feature-svhc		feature-svhc-exceeds-threshold	No

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