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RN4982FE,LF(CT +BOM

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6

Hersteller:

Toshiba
Herstellerteil #:

RN4982FE,LF(CT
Datenblatt:

RN4982FE,LF(CT Datenblatt (PDF)
Transistor Polarity:

NPN, PNP
Typical Input Resistor:

10 kOhms
Typical Resistor Ratio:

1
Mounting Style:

SMD/SMT

RN4982FE,LF(CT Allgemeine Beschreibung

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6

Spezifikationen

Product Category	Bipolar Transistors - Pre-Biased	Transistor Polarity	NPN, PNP
Typical Input Resistor	10 kOhms	Typical Resistor Ratio	1
Mounting Style	SMD/SMT	DC Collector/Base Gain hfe Min	50
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	50 V	Continuous Collector Current	100 mA
Pd - Power Dissipation	100 mW	Series	RN4982
Emitter- Base Voltage VEBO	10 V	Number of Channels	2 Channel
Product Type	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased	Factory Pack Quantity	4000
Subcategory	Transistors	Unit Weight	0.000106 oz

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