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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

RN2701,LF +BOM

Reliable and efficient solution for modern electronic system

Hersteller:

Toshiba
Herstellerteil #:

RN2701,LF
Datenblatt:

RN2701,LF Datenblatt (PDF)
Configuration:

Dual
Transistor Polarity:

PNP
Mounting Style:

SMD/SMT
DC Collector/Base Gain Hfe Min:

30

RN2701,LF Allgemeine Beschreibung

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount USV

Spezifikationen

Product Category	Bipolar Transistors - Pre-Biased	Configuration	Dual
Transistor Polarity	PNP	Mounting Style	SMD/SMT
DC Collector/Base Gain hfe Min	30	Collector- Emitter Voltage VCEO Max	- 50 V
Pd - Power Dissipation	200 mW	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Collector- Base Voltage VCBO	- 50 V
Emitter- Base Voltage VEBO	- 10 V	Maximum DC Collector Current	- 100 mA
Product Type	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased	Qualification	AEC-Q101
Factory Pack Quantity	3000	Subcategory	Transistors
Unit Weight	0.000219 oz

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