Bezahlverfahren
RQ3E080GNTB +BOM
8A, 30V N-Channel MOSFET in Surface Mount 8-HSMT Configuration
HSMT-8-
Hersteller:
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Herstellerteil #:
RQ3E080GNTB
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Datenblatt:
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REACH:
Details
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Technology:
Si
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Mounting Style:
SMD/SMT
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Transistor Polarity:
N-Channel
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EDA/CAD Modelle:
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Verfügbarkeit: 7533 Stck
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RQ3E080GNTB Allgemeine Beschreibung
Additionally, this product is HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, making it environmentally friendly and compliant with regulations. The transistor comes in an HSMT8 package with 8 pins, providing easy installation and integration into electronic circuits
Anwendung
SWITCHINGSpezifikationen
Product Category | MOSFET | REACH | Details |
Technology | Si | Mounting Style | SMD/SMT |
Transistor Polarity | N-Channel | Number of Channels | 1 Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V | Id - Continuous Drain Current | 8 A |
Rds On - Drain-Source Resistance | 16.7 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2.5 V | Qg - Gate Charge | 5.8 nC |
Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature | + 150 C |
Pd - Power Dissipation | 2 W | Channel Mode | Enhancement |
Configuration | Single | Fall Time | 2.4 ns |
Forward Transconductance - Min | 7 S | Product Type | MOSFET |
Rise Time | 3.6 ns | Factory Pack Quantity | 3000 |
Subcategory | MOSFETs | Transistor Type | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time | 17.3 ns | Typical Turn-On Delay Time | 6.9 ns |
Part # Aliases | RQ3E080GN |
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AVAQ bestimmt und verpackt alle Geräte auf der Grundlage der Schutzanforderungen gegen elektrostatische Entladung (ESD) und Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL)..
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In Stock: 7.533
Minimum Order: 1
Menge. | Einzelpreis | Ext. Preis |
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1+ | $0,305 | $0,30 |
200+ | $0,122 | $24,40 |
500+ | $0,118 | $59,00 |
1000+ | $0,116 | $116,00 |
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