Bezahlverfahren
RQ3E180GNTB +BOM
N-channel MOSFET with 4.5V drive capability
HSMT-8-
Hersteller:
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Herstellerteil #:
RQ3E180GNTB
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Datenblatt:
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REACH:
Details
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Technology:
Si
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Mounting Style:
SMD/SMT
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Transistor Polarity:
N-Channel
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EDA/CAD Modelle:
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Verfügbarkeit: 9719 Stck
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RQ3E180GNTB Allgemeine Beschreibung
Ideal for use in various electronic devices and circuit designs, the RQ3E180GNTB Power Field-Effect Transistor offers reliable performance and durability. Whether you are designing power supplies, motor controls, or lighting systems, this transistor can meet your power regulation needs effectively. Its N-channel configuration and metal-oxide semiconductor technology ensure high efficiency and low power consumption
Anwendung
SWITCHINGSpezifikationen
Product Category | MOSFET | REACH | Details |
Technology | Si | Mounting Style | SMD/SMT |
Transistor Polarity | N-Channel | Number of Channels | 1 Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V | Id - Continuous Drain Current | 18 A |
Rds On - Drain-Source Resistance | 4.3 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2.5 V | Qg - Gate Charge | 22.4 nC |
Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature | + 150 C |
Pd - Power Dissipation | 2 W | Channel Mode | Enhancement |
Configuration | Single | Fall Time | 10.2 ns |
Forward Transconductance - Min | 17 S | Product Type | MOSFET |
Rise Time | 6.9 ns | Factory Pack Quantity | 3000 |
Subcategory | MOSFETs | Transistor Type | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time | 56.8 ns | Typical Turn-On Delay Time | 16.5 ns |
Part # Aliases | RQ3E180GN |
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