Bezahlverfahren
SI2308BDS-T1-E3 +BOM
Low on-resistance of 156mΩ at 10V
SOT-23-3-
Hersteller:
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Herstellerteil #:
SI2308BDS-T1-E3
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Datenblatt:
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Technology:
Si
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Mounting Style:
SMD/SMT
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Transistor Polarity:
N-Channel
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Number Of Channels:
1 Channel
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EDA/CAD Modelle:
Verfügbarkeit: 6601 Stck
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SI2308BDS-T1-E3 Allgemeine Beschreibung
N-Channel 60 V 2.3A (Tc) 1.09W (Ta), 1.66W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Hauptmerkmale
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21 available,TrenchFET® power MOSFET,100 % Rg and UIS tested
Anwendung
Battery Switch |DC/DC ConverterSpezifikationen
Product Category | MOSFET | Technology | Si |
Mounting Style | SMD/SMT | Transistor Polarity | N-Channel |
Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60 V |
Id - Continuous Drain Current | 2.3 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 156 mOhms |
Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1 V |
Qg - Gate Charge | 6.8 nC | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
Maximum Operating Temperature | + 150 C | Pd - Power Dissipation | 1.66 W |
Channel Mode | Enhancement | Tradename | TrenchFET |
Series | SI2 | Configuration | Single |
Fall Time | 7 ns | Forward Transconductance - Min | 5 S |
Product Type | MOSFET | Rise Time | 10 ns |
Factory Pack Quantity | 3000 | Subcategory | MOSFETs |
Transistor Type | 1 N-Channel | Typical Turn-Off Delay Time | 10 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 4 ns | Part # Aliases | SI2308BDS-T1-BE3 SI2308BDS-E3 |
Unit Weight | 0.000282 oz |
Servicerichtlinien und andere
After-Sales- und Abwicklungsbezogen
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AVAQ bestimmt und verpackt alle Geräte auf der Grundlage der Schutzanforderungen gegen elektrostatische Entladung (ESD) und Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL)..
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Qualitätsgarantie
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In Stock: 6.601
Minimum Order: 1
Menge. | Einzelpreis | Ext. Preis |
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1+ | $0,327 | $0,33 |
10+ | $0,263 | $2,63 |
30+ | $0,235 | $7,05 |
100+ | $0,198 | $19,80 |
500+ | $0,182 | $91,00 |
1000+ | $0,173 | $173,00 |
Die unten angegebenen Preise dienen nur als Referenz.
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