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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

SI2328DS-T1-GE3 +BOM

This transistor is designed with a 3-pin SOT-23 package for easy installation and integration into electronic circuits

Hersteller:

VISHAY
Herstellerteil #:

SI2328DS-T1-GE3
Datenblatt:

SI2328DS-T1-GE3 Datenblatt (PDF)
Pbfree Code:

Yes
Part Life Cycle Code:

Active
Pin Count:

3
ECCN Code:

EAR99
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an SI2328DS-T1-GE3

Email: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

SI2328DS-T1-GE3 Allgemeine Beschreibung

N-Channel 100 V 1.15A (Ta) 730mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

Hauptmerkmale

Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition
100 % Rg and UIS Tested
TrenchFET® Power MOSFET
Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

Spezifikationen

Pbfree Code	Yes	Part Life Cycle Code	Active
Pin Count	3	Reach Compliance Code
ECCN Code	EAR99	Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min	100 V	Drain Current-Max (ID)	1.15 A
Drain-source On Resistance-Max	0.25 Ω	FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95 Code	TO-236AB	JESD-30 Code	R-PDSO-G3
JESD-609 Code	e3	Moisture Sensitivity Level	1
Number of Elements	1	Number of Terminals	3
Operating Mode	ENHANCEMENT MODE	Operating Temperature-Max	150 °C
Operating Temperature-Min	-55 °C	Peak Reflow Temperature (Cel)	260
Polarity/Channel Type	N-CHANNEL	Power Dissipation-Max (Abs)	0.73 W
Qualification Status	Not Qualified	Surface Mount	YES
Terminal Finish	MATTE TIN	Terminal Form	GULL WING
Terminal Position	DUAL	Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	30
Transistor Element Material	SILICON

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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