Diese Website verwendet Cookies. Durch die Nutzung dieser Website stimmen Sie der Verwendung von Cookies zu. Weitere Informationen finden Sie in unseren Datenschutzrichtlinie.

Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

SI2333CDS-T1-GE3 +BOM

Technical Specifications: This MOSFET features a voltage rating of 12V, an on-resistance of 0

Hersteller:

Vishay
Herstellerteil #:

SI2333CDS-T1-GE3
Datenblatt:

SI2333CDS-T1-GE3 Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

P-Channel
Number Of Channels:

1 Channel
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an SI2333CDS-T1-GE3

Email: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

SI2333CDS-T1-GE3 Allgemeine Beschreibung

Featuring a P-channel design, the SI2333CDS-T1-GE3 from Vishay is a surface-mount transistor with a 12V drain-source voltage and a continuous drain current of 7.1A. With a Rds(On) test voltage of 4.5V and a maximum gate-source threshold voltage of 1V, this transistor offers reliable operation in various electronic circuits. Its power dissipation rating of 2.5W and 3-pin configuration make it a versatile component for commercial and industrial applications. It is important to be aware that this product is not RoHS compliant

Hauptmerkmale

TrenchFET® power MOSFET

Anwendung

Load Switch |PA Switch

Spezifikationen

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Transistor Polarity	P-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	12 V
Id - Continuous Drain Current	7.1 A	Rds On - Drain-Source Resistance	35 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 8 V, + 8 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	1 V
Qg - Gate Charge	9 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	2.5 W
Channel Mode	Enhancement	Tradename	TrenchFET
Series	SI2	Configuration	Single
Fall Time	12 ns	Height	1.45 mm
Length	2.9 mm	Product Type	MOSFET
Rise Time	35 ns	Factory Pack Quantity	3000
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	1 P-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	45 ns	Typical Turn-On Delay Time	13 ns
Width	1.6 mm	Part # Aliases	SI2333CDS-T1-BE3 SI2333CDS-GE3
Unit Weight	0.000282 oz

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

Zahlung

Bezahlverfahren

TT/Überweisung

Paypal

Western Union

Geldgramm

Für alternative Zahlungskanäle kontaktieren Sie uns bitte unter:

[email protected]

Versand & Verpackung

Versandart

Fedex

UPS

DHL

NTN

Verpackung

AVAQ bestimmt und verpackt alle Geräte auf der Grundlage der Schutzanforderungen gegen elektrostatische Entladung (ESD) und Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL)..