Diese Website verwendet Cookies. Durch die Nutzung dieser Website stimmen Sie der Verwendung von Cookies zu. Weitere Informationen finden Sie in unseren Datenschutzrichtlinie.

Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

SI2347DS-T1-GE3 +BOM

Unipolar P-MOSFET transistor suitable for applications requiring a maximum voltage of -30V and a maximum current of -5A

Hersteller:

Vishay
Herstellerteil #:

SI2347DS-T1-GE3
Datenblatt:

SI2347DS-T1-GE3 Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

P-Channel
Number Of Channels:

1 Channel
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an SI2347DS-T1-GE3

Email: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

SI2347DS-T1-GE3 Allgemeine Beschreibung

The SI2347DS-T1-GE3 is a P Channel MOSFET with a maximum drain source voltage of -30V and a continuous drain current of -5A. With an on resistance of 0.033ohm and a threshold voltage of -2.5V, this transistor is designed for efficient power management in various electronic applications. The SOT-23 transistor case style houses the 3 pins, providing a compact and reliable solution. With a power dissipation of 1.7W and an operating temperature range of up to 150°C, this MOSFET can withstand harsh environmental conditions. This product does not contain any SVHC substances and meets the MSL 1 - Unlimited standard

Hauptmerkmale

Saturated Current Limited
Fast Turn-Off Capability
Differential Mode Operation

Spezifikationen

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Transistor Polarity	P-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	30 V
Id - Continuous Drain Current	5 A	Rds On - Drain-Source Resistance	33 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	2.5 V
Qg - Gate Charge	6.9 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	1.7 W
Channel Mode	Enhancement	Tradename	TrenchFET
Series	SI2	Configuration	Single
Fall Time	9 ns	Height	1.45 mm
Length	2.9 mm	Product Type	MOSFET
Rise Time	6 ns	Factory Pack Quantity	3000
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	1 P-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	19 ns	Typical Turn-On Delay Time	6 ns
Width	1.6 mm	Part # Aliases	SI2347DS-T1-BE3
Unit Weight	0.000282 oz

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

Zahlung

Bezahlverfahren

TT/Überweisung

Paypal

Western Union

Geldgramm

Für alternative Zahlungskanäle kontaktieren Sie uns bitte unter:

[email protected]

Versand & Verpackung

Versandart

Fedex

UPS

DHL

NTN

Verpackung

AVAQ bestimmt und verpackt alle Geräte auf der Grundlage der Schutzanforderungen gegen elektrostatische Entladung (ESD) und Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL)..

Garantie

365-Tage-Produkt

Qualitätsgarantie

Wir versprechen, 365 Tage Qualitätssicherung für alle unsere Produkte zu bieten.

Bewertungen und Rezensionen

Mehr

L**n 05.30.2021

It came-and tom is happy :)

I**a 11.25.2020

Everything came. Hz when i check

G**n 08.14.2020

The goods came, everything works.

A**y 06.05.2020

The product corresponds to the description, the quality is good. The seller very quickly collected and sent the order. Extremely fast delivery sf express in just 10 days. Everything is fine, i recommend!