Diese Website verwendet Cookies. Durch die Nutzung dieser Website stimmen Sie der Verwendung von Cookies zu. Weitere Informationen finden Sie in unseren Datenschutzrichtlinie.

Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

SI4166DY-T1-GE3 +BOM

SI4166DY-T1-GE3 MOSFET with N-channel, 30V voltage rating, and 30.5A current capacity in a SOIC package

Hersteller:

VISHAY
Herstellerteil #:

SI4166DY-T1-GE3
Datenblatt:

SI4166DY-T1-GE3 Datenblatt (PDF)
Part Life Cycle Code:

Transferred
Pin Count:

8
ECCN Code:

EAR99
Avalanche Energy Rating (Eas):

45 mJ
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an SI4166DY-T1-GE3

Email: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

SI4166DY-T1-GE3 Allgemeine Beschreibung

Product SI4166DY-T1-GE3 is a small signal field-effect transistor with a maximum drain current (I(D)) of 20.5A and a maximum voltage of 30V. This transistor is designed with 1 element, operating as an N-channel device using silicon technology. It belongs to the metal-oxide semiconductor FET family of transistors, ensuring reliable and efficient performance

Hauptmerkmale

Halogen-free

TrenchFET Power MOSFET

100 % Rg Tested

100 % UIS Tested

Anwendung

Low-Side DC/DC Conversion - Notebook PC - Gaming

Spezifikationen

Part Life Cycle Code	Transferred	Pin Count	8
Reach Compliance Code		ECCN Code	EAR99
Avalanche Energy Rating (Eas)	45 mJ	Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min	30 V	Drain Current-Max (ID)	20.5 A
Drain-source On Resistance-Max	0.0039 Ω	FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Feedback Cap-Max (Crss)	205 pF	JEDEC-95 Code	MS-012AA
JESD-30 Code	R-PDSO-G8	Moisture Sensitivity Level	1
Number of Elements	1	Number of Terminals	8
Operating Mode	ENHANCEMENT MODE	Operating Temperature-Max	150 °C
Operating Temperature-Min	-55 °C	Polarity/Channel Type	N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs)	6.5 W	Pulsed Drain Current-Max (IDM)	70 A
Qualification Status	Not Qualified	Surface Mount	YES
Terminal Finish	PURE MATTE TIN	Terminal Form	GULL WING
Terminal Position	DUAL	Transistor Application	SWITCHING
Transistor Element Material	SILICON	Turn-off Time-Max (toff)	95 ns
Turn-on Time-Max (ton)	54 ns

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

Zahlung

Bezahlverfahren

TT/Überweisung

Paypal

Western Union

Geldgramm

Für alternative Zahlungskanäle kontaktieren Sie uns bitte unter:

[email protected]

Versand & Verpackung

Versandart

Fedex

UPS

DHL

NTN

Verpackung

AVAQ bestimmt und verpackt alle Geräte auf der Grundlage der Schutzanforderungen gegen elektrostatische Entladung (ESD) und Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL)..