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Siehe Technische Spezifikationen

SI4425DDY-T1-GE3 +BOM

SOIC 8-Pin P-Channel Transistor with 30V Voltage Rating and 19.7A Current Handling

Hersteller:

Vishay
Herstellerteil #:

SI4425DDY-T1-GE3
Datenblatt:

SI4425DDY-T1-GE3 Datenblatt (PDF)
REACH:

Details
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

P-Channel
EDA/CAD Modelle:

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SI4425DDY-T1-GE3 Allgemeine Beschreibung

P-Channel 30 V 19.7A (Tc) 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) Surface Mount 8-SOIC

Hauptmerkmale

High-speed switching performance
Advanced thermal management
Ruggedized design for harsh environments
Suitable for industrial control applications
Excellent noise immunity and EMI reduction
Compliant with major industry standards

Anwendung

["Load Switches - Notebook PCs - Desktop PCs S"]

Spezifikationen

Product Category	MOSFET	REACH	Details
Technology	Si	Mounting Style	SMD/SMT
Transistor Polarity	P-Channel	Number of Channels	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	30 V	Id - Continuous Drain Current	19.7 A
Rds On - Drain-Source Resistance	9.8 mOhms	Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	1.2 V	Qg - Gate Charge	53 nC
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Pd - Power Dissipation	5.7 W	Channel Mode	Enhancement
Tradename	TrenchFET	Series	SI4
Configuration	Single	Fall Time	9 ns
Forward Transconductance - Min	40 S	Product Type	MOSFET
Rise Time	9 ns	Factory Pack Quantity	2500
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	1 P-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	42 ns	Typical Turn-On Delay Time	12 ns
Part # Aliases	SI4425DDY-GE3	Unit Weight	0.026455 oz

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