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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

SI7463ADP-T1-GE3 +BOM

MOSFET -40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

Hersteller:

Vishay
Herstellerteil #:

SI7463ADP-T1-GE3
Datenblatt:

SI7463ADP-T1-GE3 Datenblatt (PDF)
REACH:

Details
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

P-Channel
EDA/CAD Modelle:

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SI7463ADP-T1-GE3 Allgemeine Beschreibung

Power Field-Effect Transistor, 46A I(D), 40V, 0.01ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, LEADLESS, POWERPAK, SOP-8

Hauptmerkmale

TrenchFET® power MOSFET,100 % Rg and UIS tested

Spezifikationen

Product Category	MOSFET	REACH	Details
Technology	Si	Mounting Style	SMD/SMT
Transistor Polarity	P-Channel	Number of Channels	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	40 V	Id - Continuous Drain Current	46 A
Rds On - Drain-Source Resistance	10 mOhms	Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	1.2 V	Qg - Gate Charge	96 nC
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Pd - Power Dissipation	39 W	Channel Mode	Enhancement
Tradename	TrenchFET	Series	SI7
Configuration	Single	Fall Time	11 ns
Forward Transconductance - Min	40 S	Height	1.04 mm
Length	6.15 mm	Product Type	MOSFET
Rise Time	14 ns	Factory Pack Quantity	3000
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	1 P-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	56 ns	Typical Turn-On Delay Time	15 ns
Width	5.15 mm	Unit Weight	0.017870 oz

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