Bezahlverfahren
SI7465DP-T1-E3 +BOM
P-channel MOSFET with a voltage rating of 60V and a maximum current of 3.2A in an 8-pin PowerPAK SO package, part number SI7465DP-T1-E3
QFN8-
Hersteller:
-
Herstellerteil #:
SI7465DP-T1-E3
-
Datenblatt:
-
Technology:
Si
-
Mounting Style:
SMD/SMT
-
Transistor Polarity:
P-Channel
-
Number Of Channels:
1 Channel
-
EDA/CAD Modelle:
Verfügbarkeit: 7026 Stck
Bitte füllen Sie das kurze Formular unten aus und wir werden Ihnen umgehend ein Angebot zukommen lassen..
SI7465DP-T1-E3 Allgemeine Beschreibung
The SI7465DP-T1-E3 is a P-channel MOSFET designed for high-performance applications. With a continuous drain current of 5A and a drain-source voltage of -60V, this transistor offers low on resistance Rds(on) of 64mohm at a test voltage Vgs of 20V. The threshold voltage Vgs Typ is -3V, and the power dissipation Pd is 1.5W, making it suitable for demanding operating conditions. The PowerPAK SO case style with 8 pins provides easy integration into electronic devices, while the operating temperature range from -55°C to +150°C ensures reliable performance in diverse environments. Additionally, the SI7465DP-T1-E3 features a maximum junction temperature Tj of 150°C and a rise time of 9ns, further enhancing its robustness. With a termination type of SMD and a typical voltage Vds of 60V, this MOSFET is a versatile and reliable component for various applications
Hauptmerkmale
Spezifikationen
Product Category | MOSFET | Technology | Si |
Mounting Style | SMD/SMT | Transistor Polarity | P-Channel |
Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60 V |
Id - Continuous Drain Current | 3.2 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 64 mOhms |
Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 3 V |
Qg - Gate Charge | 26 nC | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
Maximum Operating Temperature | + 150 C | Pd - Power Dissipation | 3.5 W |
Channel Mode | Enhancement | Tradename | TrenchFET |
Series | SI7 | Configuration | Single |
Fall Time | 30 ns | Forward Transconductance - Min | 16 S |
Product Type | MOSFET | Rise Time | 9 ns |
Factory Pack Quantity | 3000 | Subcategory | MOSFETs |
Transistor Type | 1 P-Channel | Typical Turn-Off Delay Time | 65 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 8 ns | Part # Aliases | SI7465DP-E3 |
Unit Weight | 0.017870 oz |
Servicerichtlinien und andere
After-Sales- und Abwicklungsbezogen
Für alternative Zahlungskanäle kontaktieren Sie uns bitte unter:
[email protected]Versandart
AVAQ bestimmt und verpackt alle Geräte auf der Grundlage der Schutzanforderungen gegen elektrostatische Entladung (ESD) und Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL)..
365-Tage-Produkt
Qualitätsgarantie
Wir versprechen, 365 Tage Qualitätssicherung für alle unsere Produkte zu bieten.
In Stock: 7.026
Minimum Order: 1
Menge. | Einzelpreis | Ext. Preis |
---|---|---|
1+ | - | - |
Die unten angegebenen Preise dienen nur als Referenz.
Alle Stücklisten (BOM) können per E-Mail gesendet werden an [email protected], oder füllen Sie das untenstehende Formular aus, um ein Angebot für SI7465DP-T1-E3 zu erstellen, garantierte Angebote zurück innerhalb 12 Std.