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Siehe Technische Spezifikationen

SIGC158T120R3LE +BOM

IGBT Transistors

Hersteller:

Infineon Technologies Corporation
Herstellerteil #:

SIGC158T120R3LE
Datenblatt:

SIGC158T120R3LE Datenblatt (PDF)
IGBT Type:

Trench Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm):

450 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic:

2.1V @ 15V, 150A

SIGC158T120R3LE Allgemeine Beschreibung

IGBT Trench Field Stop 1200 V Surface Mount Die

Infineon Technologies Corporation Inventar

Infineon Technologies Corporation Originalbestand

Spezifikationen

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsIGBTsSingle IGBTs	Series	-
IGBT Type	Trench Field Stop	Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm)	450 A	Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	2.1V @ 15V, 150A
Switching Energy	-	Input Type	Standard
Td (on/off) @ 25°C	-	Test Condition	-
Mounting Type	Surface Mount	Base Product Number	SIGC158
IC max	150.0 A	VDS max	1200.0 V
VGE(th) max	6.5 V	VGE(th) min	5.0 V
Technology	IGBT3	VCE(sat) max	2.1 V
VCE max	1200.0 V	Operating Temperature max	150.0 °C
Operating Temperature min	-40.0 °C

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