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Siehe Technische Spezifikationen

SP8K31HZGTB +BOM

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Hersteller:

ROHM Semiconductor
Herstellerteil #:

SP8K31HZGTB
Datenblatt:

SP8K31HZGTB Datenblatt (PDF)
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Configuration:

2 N-Channel (Dual)
Drain To Source Voltage (Vdss):

60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:

3.5A (Ta)
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an SP8K31HZGTB

SP8K31HZGTB Allgemeine Beschreibung

Unleash the power of the SP8K31HZGTB, an exceptional automotive grade MOSFET that ticks all the boxes when it comes to reliability and performance. With dual N-channel 60V MOSFETs housed in a compact SOP8 package, this device is optimized for efficient switching operations with minimal power loss. Not to mention, the integrated ESD protection diode adds an extra layer of defense against electrostatic discharge, enhancing the overall robustness of the MOSFET. Whether you're working on automotive lighting, power management, or motor control applications, the SP8K31HZGTB is the go-to choice for reliable and durable performance in demanding automotive environments

Hauptmerkmale

Low on-resistance
Small Surface Mount Package (SOP8)
Pb-free lead plating ; RoHS compliant
AEC-Q101 Qualified

Spezifikationen

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsFETs, MOSFETsFET, MOSFET Arrays	Series	-
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	Configuration	2 N-Channel (Dual)
FET Feature	-	Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	3.5A (Ta)	Rds On (Max) @ Id, Vgs	120mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	5.2nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	250pF @ 10V	Power - Max	2W (Ta)
Operating Temperature	150°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount
Base Product Number	SP8K31

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