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Siehe Technische Spezifikationen

SPB80N06S08ATMA1 +BOM

N-Channel 55 V 80A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2

Hersteller:

Infineon Technologies Corporation
Herstellerteil #:

SPB80N06S08ATMA1
Datenblatt:

SPB80N06S08ATMA1 Datenblatt (PDF)
Series:

SIPMOS®
FET Type:

N-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

55 V

SPB80N06S08ATMA1 Allgemeine Beschreibung

N-Channel 55 V 80A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2

Infineon Technologies Corporation Inventar

Hauptmerkmale

N-channel - Normal Level -Enhancement mode
Automotive AEC Q101 qualified
MSL1 up to 260°C peak reflow
175°C operating temperature
Avalanche test
Repetive Avalanche up to>
dv /dt rated
world's lowest RDS at 55V (on) in planar technology
highest current capability
lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency
robust packages with superior quality and reliability
Optimized total gate charge enables smaller driver output stages

Infineon Technologies Corporation Originalbestand

Spezifikationen

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsFETs, MOSFETsSingle FETs, MOSFETs	Series	SIPMOS®
FET Type	N-Channel	Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	55 V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	80A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Rds On (Max) @ Id, Vgs	7.7mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 240µA	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	187 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V	Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	3660 pF @ 25 V
FET Feature	-	Power Dissipation (Max)	300W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount
Base Product Number	SPB80N	RHoS	yes
PBFree	yes	HalogenFree	yes
Product Category	MOSFET	Mounting Style	SMD/SMT
Transistor Polarity	N-Channel	Number of Channels	1 Channel
Configuration	Single	Height	4.4 mm
Length	10 mm	Product Type	MOSFET
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	1 N-Channel
Width	9.25 mm	Part # Aliases	SPB80N06S-08 SP000084808
Unit Weight	0.139332 oz

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