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Siehe Technische Spezifikationen

SP8M31HZGTB +BOM

Ultra-low RDS(on) and Qg make it an excellent choice for high-frequency switching applications ( character

Hersteller:

ROHM Semiconductor
Herstellerteil #:

SP8M31HZGTB
Datenblatt:

SP8M31HZGTB Datenblatt (PDF)
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Configuration:

N and P-Channel
Drain To Source Voltage (Vdss):

60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:

4.5A (Ta)
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an SP8M31HZGTB

SP8M31HZGTB Allgemeine Beschreibung

Mosfet Array 60V 4.5A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SOP

Hauptmerkmale

Low on-resistance
Small Surface Mount Package (SOP8)
Pb-free lead plating ; RoHS compliant
AEC-Q101 Qualified

Spezifikationen

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsFETs, MOSFETsFET, MOSFET Arrays	Series	-
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	Configuration	N and P-Channel
FET Feature	-	Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	4.5A (Ta)	Rds On (Max) @ Id, Vgs	65mOhm @ 4.5A, 10V, 70mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 1mA	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	7nC @ 5V, 40nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	500pF @ 10V, 2500pF @ 10V	Power - Max	2W (Ta)
Operating Temperature	150°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount
Base Product Number	SP8M3

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