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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

SQJ431EP-T1_GE3 +BOM

200V Trans MOSFET P-CH device for precise control

Hersteller:

VISHAY
Herstellerteil #:

SQJ431EP-T1_GE3
Datenblatt:

SQJ431EP-T1_GE3 Datenblatt (PDF)
Part Life Cycle Code:

Not Recommended
Reach Compliance Code:

compliant
ECCN Code:

EAR99
Factory Lead Time:

26 Weeks, 4 Days
EDA/CAD Modelle:

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SQJ431EP-T1_GE3 Allgemeine Beschreibung

The SQJ431EP-T1_GE3 P-channel MOSFET is designed to meet the exacting standards of modern electronics. Its -200V drain-source voltage rating ensures efficient switching and control of high-voltage loads, while its -12A continuous drain current capability makes it suitable for a wide range of load currents. The transistor's on-resistance Rds(on) of 0.178ohm and threshold voltage Vgs of -3V enable precise control over the MOSFET's operation. Additionally, the RoHS compliance of this product ensures that it meets environmental safety standards. With its AEC-Q101 certification, this component is suitable for use in automotive and industrial applications

Spezifikationen

Part Life Cycle Code	Not Recommended	Reach Compliance Code	compliant
ECCN Code	EAR99	Factory Lead Time	26 Weeks, 4 Days
Avalanche Energy Rating (Eas)	80 mJ	Case Connection	DRAIN
Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	DS Breakdown Voltage-Min	200 V
Drain Current-Max (ID)	12 A	Drain-source On Resistance-Max	0.221 Ω
FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 Code	R-PSSO-G4
Number of Elements	1	Number of Terminals	4
Operating Mode	ENHANCEMENT MODE	Peak Reflow Temperature (Cel)	NOT SPECIFIED
Polarity/Channel Type	P-CHANNEL	Pulsed Drain Current-Max (IDM)	40 A
Qualification Status	Not Qualified	Surface Mount	YES
Terminal Form	GULL WING	Terminal Position	SINGLE
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	NOT SPECIFIED	Transistor Element Material	SILICON

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