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SST108 +BOM

N-Channel FETs 32V 80mA

Hauptmerkmale

  • Low On-Resistance: J108 <8 Ω
  • Fast Switching—tON: 4 ns
  • Low Leakage: 20 pA
  • Low Capacitance: 11 pF
  • Low Insertion Loss

Spezifikationen

Pbfree Code No Part Life Cycle Code Active
Pin Count 3 Reach Compliance Code compliant
ECCN Code EAR99 HTS Code 8541.21.00.95
Additional Feature LOW NOISE Configuration SINGLE
Drain-source On Resistance-Max 8 Ω FET Technology JUNCTION
JESD-30 Code R-PDSO-G3 Number of Elements 1
Number of Terminals 3 Operating Mode DEPLETION MODE
Operating Temperature-Max 150 °C Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Polarity/Channel Type N-CHANNEL Power Dissipation-Max (Abs) 0.35 W
Surface Mount YES Terminal Form GULL WING
Terminal Position DUAL Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Transistor Application SWITCHING Transistor Element Material SILICON

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