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Siehe Technische Spezifikationen

STG3P3M25N60 +BOM

IGBTs Insulated Gate Bipolar Transistor 3 Phase invertr IGBT SEMITOP3 mod

Hersteller:

STMICROELECTRONICS
Herstellerteil #:

STG3P3M25N60
Datenblatt:

STG3P3M25N60 Datenblatt (PDF)
Pbfree Code:

Yes
Part Life Cycle Code:

Active
Pin Count:

28
Reach Compliance Code:

compliant
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an STG3P3M25N60

STG3P3M25N60 Allgemeine Beschreibung

The STG3P3M25N60 power semiconductor module is a cutting-edge solution for industrial applications that demand superior performance. With its innovative three-phase bridge configuration and nine advanced IGBTs, this module ensures high power density, efficiency, and reliability. Its maximum voltage and current ratings of 1200V and 100A respectively make it ideal for a wide range of medium to high-power industrial tasks

Spezifikationen

Source Content uid	STG3P3M25N60	Pbfree Code	Yes
Part Life Cycle Code	Active	Pin Count	28
Reach Compliance Code	compliant	ECCN Code	EAR99
Collector Current-Max (IC)	50 A	Collector-Emitter Voltage-Max	600 V
Configuration	BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	Gate-Emitter Voltage-Max	20 V
JESD-30 Code	R-XUFM-X28	Number of Elements	6
Number of Terminals	28	Operating Temperature-Max	150 °C
Peak Reflow Temperature (Cel)	NOT SPECIFIED	Polarity/Channel Type	N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs)	96 W	Qualification Status	Not Qualified
Surface Mount	NO	Terminal Form	UNSPECIFIED
Terminal Position	UPPER	Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	NOT SPECIFIED
Transistor Application	POWER CONTROL	Transistor Element Material	SILICON
Turn-off Time-Nom (toff)	128 ns	Turn-on Time-Nom (ton)	42 ns
VCEsat-Max	2.5 V

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