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Siehe Technische Spezifikationen

STGD3HF60HDT4 +BOM

4.5 A, 600 V very fast IGBT with Ultrafast diode

Hersteller:

STMICROELECTRONICS
Herstellerteil #:

STGD3HF60HDT4
Datenblatt:

STGD3HF60HDT4 Datenblatt (PDF)
Part Life Cycle Code:

Active
Pin Count:

3
Reach Compliance Code:

not_compliant
ECCN Code:

EAR99
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an STGD3HF60HDT4

STGD3HF60HDT4 Allgemeine Beschreibung

The STGD3HF60HDT4 is a cutting-edge product that utilizes innovative planar technology to enhance the stability and performance of Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs). Through this advanced concept, these devices are able to achieve more consistent switching performance, particularly in regard to Eoff, even in varying temperatures. Additionally, the STGD3HF60HDT4 boasts lower conduction losses, making it a highly efficient option for various applications

Hauptmerkmale

Minimal tail current
Low conduction and switching losses
Ultrafast soft recovery antiparallel diode

Spezifikationen

Source Content uid	STGD3HF60HDT4	Part Life Cycle Code	Active
Pin Count	3	Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN Code	EAR99	Factory Lead Time	52 Weeks
Additional Feature	LOW CONDUCTION LOSS	Case Connection	COLLECTOR
Collector Current-Max (IC)	13 A	Collector-Emitter Voltage-Max	600 V
Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	Gate-Emitter Thr Voltage-Max	5.75 V
Gate-Emitter Voltage-Max	20 V	JEDEC-95 Code	TO-252
JESD-30 Code	R-PSSO-G2	JESD-609 Code	e3
Moisture Sensitivity Level	1	Number of Elements	1
Number of Terminals	2	Operating Temperature-Max	150 °C
Peak Reflow Temperature (Cel)	260	Polarity/Channel Type	N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs)	38 W	Qualification Status	Not Qualified
Surface Mount	YES	Terminal Finish	Matte Tin (Sn) - annealed
Terminal Form	GULL WING	Terminal Position	SINGLE
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	30	Transistor Application	MOTOR CONTROL
Transistor Element Material	SILICON

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