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Siehe Technische Spezifikationen

STGW28IH125DF +BOM

1250 V, 25 A IH series trench gate field-stop IGBT

Hersteller:

ST
Herstellerteil #:

STGW28IH125DF
Datenblatt:

STGW28IH125DF Datenblatt (PDF)
Part Life Cycle Code:

Active
Reach Compliance Code:

compliant
ECCN Code:

EAR99
Factory Lead Time:

52 Weeks
EDA/CAD Modelle:

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Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

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STGW28IH125DF Allgemeine Beschreibung

These IGBTs are developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure and performance is optimized in both conduction and switching losses. A freewheeling diode with a low drop forward voltage is co-packaged. The result is a product specifically designed to maximize efficiency for any resonant and soft-switching application.

Hauptmerkmale

Designed for soft commutation only
Maximum junction temperature: T_J= 175 °C
Minimized tail current
V_CE(sat)= 2.0 V (typ.) @ I_C= 25 A
Tight parameters distribution
Safe paralleling
Low V_Fsoft recovery co-packaged diode
Low thermal resistance
Lead free package

Spezifikationen

Source Content uid	STGW28IH125DF	Part Life Cycle Code	Active
Reach Compliance Code	compliant	ECCN Code	EAR99
Factory Lead Time	52 Weeks	Case Connection	COLLECTOR
Collector Current-Max (IC)	60 A	Collector-Emitter Voltage-Max	1250 V
Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	Gate-Emitter Thr Voltage-Max	7 V
Gate-Emitter Voltage-Max	20 V	JEDEC-95 Code	TO-247
JESD-30 Code	R-PSFM-T3	Number of Elements	1
Number of Terminals	3	Operating Temperature-Max	175 °C
Operating Temperature-Min	-55 °C	Peak Reflow Temperature (Cel)	NOT SPECIFIED
Polarity/Channel Type	N-CHANNEL	Power Dissipation-Max (Abs)	375 W
Surface Mount	NO	Terminal Form	THROUGH-HOLE
Terminal Position	SINGLE	Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	NOT SPECIFIED
Transistor Element Material	SILICON	Turn-off Time-Nom (toff)	322 ns
VCEsat-Max	2.5 V

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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