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Siehe Technische Spezifikationen

STGWT60H60DLFB +BOM

IGBT Transistors 600V 60A HSpd trench gate field-stop IGBT

Hersteller:

STMicroelectronics
Herstellerteil #:

STGWT60H60DLFB
Datenblatt:

STGWT60H60DLFB Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

Through Hole
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

600 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an STGWT60H60DLFB

STGWT60H60DLFB Allgemeine Beschreibung

IGBT Trench Field Stop 600 V 80 A 375 W Through Hole TO-3P

Spezifikationen

Product Category	IGBT Transistors	Technology	Si
Mounting Style	Through Hole	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	600 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	1.6 V
Maximum Gate Emitter Voltage	- 20 V, 20 V	Continuous Collector Current at 25 C	80 A
Pd - Power Dissipation	375 W	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 175 C	Series	STGWT60H60DLFB
Continuous Collector Current Ic Max	60 A	Gate-Emitter Leakage Current	250 nA
Product Type	IGBT Transistors	Factory Pack Quantity	300
Subcategory	IGBTs	Unit Weight	0.238311 oz

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