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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

STGYA120M65DF2 +BOM

Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 120 A low loss

Hersteller:

STMicroelectronics
Herstellerteil #:

STGYA120M65DF2
Datenblatt:

STGYA120M65DF2 Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

Through Hole
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

650 V

STGYA120M65DF2 Allgemeine Beschreibung

With its advanced trench gate field-stop structure, the STGYA120M65DF2 IGBT sets itself apart as a top-of-the-line device in the M series. The carefully crafted design provides an optimal combination of inverter system performance and efficiency, catering to the crucial need for low-loss and short-circuit functionality. What's more, its positive VCE(sat) temperature coefficient and tight parameter distribution make it well-suited for safe paralleling operation, offering peace of mind to users in various industrial settings

Hauptmerkmale

Maximum junction temperature: T_J = 175 °C
6 μs of minimum short-circuit withstand time
V_CE(sat) = 1.65 V (typ.) @ I_C = 120 A
Tight parameter distribution
Safer paralleling
Positive V_CE(sat) temperature coefficient
Low thermal resistance
Soft- and fast-recovery antiparallel diode

Anwendung

POWER CONTROL

Spezifikationen

Product Category	IGBT Transistors	Technology	Si
Mounting Style	Through Hole	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	650 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	1.65 V
Maximum Gate Emitter Voltage	- 20 V, 20 V	Continuous Collector Current at 25 C	160 A
Pd - Power Dissipation	625 W	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 175 C	Series	STGYA120M65DF2
Continuous Collector Current Ic Max	160 A	Gate-Emitter Leakage Current	+/- 250 uA
Product Type	IGBT Transistors	Factory Pack Quantity	600
Subcategory	IGBTs	Unit Weight	0.156264 oz

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