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Siehe Technische Spezifikationen

TPW1R104PB +BOM

Trans MOSFET N-CH Si 40V 120A Automotive 8-Pin DSOP Advance(WF)M

Hersteller:

Toshiba Semiconductor
Herstellerteil #:

TPW1R104PB
Datenblatt:

TPW1R104PB Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Qualification:

AEC-Q101
Tradename:

U-MOSIX-H
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an TPW1R104PB

Hauptmerkmale

Characteristics
Symbol
Condition
Value
Unit
Gate threshold voltage (Max)
V
th
3.0
V
Drain-Source on-resistance (Max)
R
DS(ON)
GS
1.96
mΩ
Drain-Source on-resistance (Max)
R
DS(ON)
GS
1.14
mΩ
Input capacitance (Typ.)
C
iss
4560
pF
Total gate charge (Typ.)
Q
g
V
GS
55
nC

Spezifikationen

Product Category:	MOSFET	Technology:	Si
Qualification:	AEC-Q101	Tradename:	U-MOSIX-H
Product Type:	MOSFET	Subcategory:	MOSFETs

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Bewertungen und Rezensionen

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L**y 06.04.2024

pruduct as described , thanks !

F**e 11.01.2021

Avaq impresses with their lightning-fast delivery. I received my order in record time, ensuring my project stayed on schedule. Highly reliable distributor!

M**a 05.26.2021

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J**n 03.27.2020

Good converters, compact, there is a led indicating the operation.