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Siehe Technische Spezifikationen

TP0604N3-G +BOM

MOSFET, P-Channel Enhancement-Mode, -40V, 2.0 Ohm.

Hersteller:

Microchip Technology, Inc
Herstellerteil #:

TP0604N3-G
Datenblatt:

TP0604N3-G Datenblatt (PDF)
FET Type:

P-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:

430mA (Tj)
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an TP0604N3-G

TP0604N3-G Allgemeine Beschreibung

Operating seamlessly in temperatures ranging from -55 to 150 degrees Celsius, the TP0604N3-G excels in a wide spectrum of environments, making it a versatile and dependable choice. Whether it's in industrial, automotive, or consumer electronics, this MOSFET's robust capabilities make it a valuable asset in diverse settings

Hauptmerkmale

Safe and secure operation ensured
Easy integration and maintenance
State-of-the-art manufacturing process
Robust and reliable performance guaranteed

Microchip Technology, Inc Originalbestand

Spezifikationen

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsFETs, MOSFETsSingle FETs, MOSFETs	Series	-
FET Type	P-Channel	Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	40 V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	430mA (Tj)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V	Rds On (Max) @ Id, Vgs	2Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.4V @ 1mA	Vgs (Max)	±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	150 pF @ 20 V	FET Feature	-
Power Dissipation (Max)	740mW (Ta)	Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Through Hole	Base Product Number	TP0604

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Bewertungen und Rezensionen

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H**n 09.23.2023

It came in 22 days all as a description, resistance savserve.

C**s 10.19.2022

Excellent condition!

L**n 07.09.2022

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