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Siehe Technische Spezifikationen

TP2104N3-G +BOM

MOSFET, P-Channel Enhancement-Mode, -40V, 6.0 Ohm.

Hersteller:

Microchip Technology, Inc
Herstellerteil #:

TP2104N3-G
Datenblatt:

TP2104N3-G Datenblatt (PDF)
FET Type:

P-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:

175mA (Tj)
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an TP2104N3-G

TP2104N3-G Allgemeine Beschreibung

The TP2104N3-G is a compact MOSFET transistor designed for P Channel applications. With a maximum drain source voltage of -40V and a continuous drain current of -175mA, this transistor is suitable for a variety of low power circuit designs. The on resistance of 6ohm and threshold voltage of -2V make it a versatile component for efficient power management

Hauptmerkmale

Low power consumption rate
Excellent load regulation
Compact package design

Microchip Technology, Inc Originalbestand

Spezifikationen

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsFETs, MOSFETsSingle FETs, MOSFETs	Series	-
FET Type	P-Channel	Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	40 V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	175mA (Tj)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Rds On (Max) @ Id, Vgs	6Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 1mA	Vgs (Max)	±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	60 pF @ 25 V	FET Feature	-
Power Dissipation (Max)	740mW (Ta)	Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Through Hole	Base Product Number	TP2104

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