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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

TSM850N06CX RFG +BOM

High-performance N-MOSFET transistor tailored for unipolar operation

Hersteller:

Taiwan Semiconductor
Herstellerteil #:

TSM850N06CX RFG
Datenblatt:

TSM850N06CX RFG Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

N-Channel
Number Of Channels:

1 Channel
EDA/CAD Modelle:

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TSM850N06CX RFG Allgemeine Beschreibung

N-Channel 60 V 3A (Tc) 1.7W (Tc) Surface Mount SOT-23

Spezifikationen

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	60 V
Id - Continuous Drain Current	3 A	Rds On - Drain-Source Resistance	68 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	1.2 V
Qg - Gate Charge	9.5 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	1.7 W
Channel Mode	Enhancement	Configuration	Single
Fall Time	17 ns	Product Type	MOSFET
Rise Time	20 ns	Factory Pack Quantity	3000
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	9.8 ns	Typical Turn-On Delay Time	4.8 ns
Part # Aliases	TSM850N06CX	Unit Weight	0.000282 oz

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