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Siehe Technische Spezifikationen

TSM2318CX RFG +BOM

N-Channel 40 V 3.9A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount SOT-23

Hersteller:

Taiwan Semiconductor
Herstellerteil #:

TSM2318CX RFG
Datenblatt:

TSM2318CX RFG Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

N-Channel
Number Of Channels:

1 Channel
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an TSM2318CX RFG

TSM2318CX RFG Allgemeine Beschreibung

N-Channel 40 V 3.9A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount SOT-23

Spezifikationen

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	40 V
Id - Continuous Drain Current	3.9 A	Rds On - Drain-Source Resistance	36 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	1 V
Qg - Gate Charge	10 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	1.25 W
Channel Mode	Enhancement	Configuration	Single
Fall Time	15 ns	Moisture Sensitive	Yes
Product Type	MOSFET	Rise Time	12 ns
Factory Pack Quantity	3000	Subcategory	MOSFETs
Transistor Type	1 N-Channel	Typical Turn-Off Delay Time	20 ns
Typical Turn-On Delay Time	5 ns	Unit Weight	0.000282 oz

Servicerichtlinien und andere

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