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Siehe Technische Spezifikationen

UJ3N065080K3S +BOM

G3 TO-247-3L JFET 650V/80mOhm SiC N-ON JFET REDUCED Rth

Hersteller:

Qorvo
Herstellerteil #:

UJ3N065080K3S
Datenblatt:

UJ3N065080K3S Datenblatt (PDF)
Technology:

SiC
Mounting Style:

Through Hole
Transistor Polarity:

N-Channel
Configuration:

Single
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an UJ3N065080K3S

UJ3N065080K3S Allgemeine Beschreibung

JFET N-Channel 650 V 32 A 190 W Through Hole TO-247-3

Spezifikationen

Product Category	JFET	Technology	SiC
Mounting Style	Through Hole	Transistor Polarity	N-Channel
Configuration	Single	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	650 V
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage	20 V	Id - Continuous Drain Current	32 A
Rds On - Drain-Source Resistance	80 mOhms	Pd - Power Dissipation	190 W
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 175 C
Series	UJ3N	Qualification	AEC-Q101
Product Type	JFETs	Factory Pack Quantity	30
Subcategory	Transistors	Tradename	Sic JFET
Unit Weight	0.546358 oz

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