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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

FP1189-G +BOM

RF JFET Transistors capable of delivering +27dBm at P1dB

Hersteller:

qorvo
Herstellerteil #:

FP1189-G
Datenblatt:

FP1189-G Datenblatt (PDF)
Transistor Type:

HFET
Technology:

GaAs
Transistor Polarity:

N-Channel
Minimum Operating Temperature:

- 55 C
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an FP1189-G

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Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

Hauptmerkmale

504000 MHz

+27 dBm P1dB

+40 dBm Output IP3

High Drain Efficiency

20.5 dB Gain @ 900 MHz

Lead-free/Green/RoHS compliantSOT-89 Package

MTTF >100 Years

Spezifikationen

Product Category	RF JFET Transistors	Transistor Type	HFET
Technology	GaAs	Transistor Polarity	N-Channel
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 160 C
Mounting Style	SMD/SMT	Height	1.5 mm
Length	4.5 mm	Moisture Sensitive	Yes
Product	RF JFET	Product Type	RF JFET Transistors
Factory Pack Quantity	1000	Subcategory	Transistors
Type	GaAs HFET	Width	2.5 mm
Part # Aliases	1066922	Unit Weight	0.004603 oz

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