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Siehe Technische Spezifikationen

TGF2929-FL +BOM

RF Power Field-Effect Transistor TGF2929-FL description in English

Hersteller:

Qorvo
Herstellerteil #:

TGF2929-FL
Datenblatt:

TGF2929-FL Datenblatt (PDF)
Transistor Polarity:

N-Channel
Technology:

GaN-on-SiC
Id - Continuous Drain Current:

12 A
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:

28 V

TGF2929-FL Allgemeine Beschreibung

RF MOSFET Transistors DC-3.5GHz 100W 28V GaN

Hauptmerkmale

Frequency: DC to 3.5 GHz
Output Power (P3dB): 107 W at 3.5 GHz
Linear Gain:> 14 dB at 3.5 GHz
Typical PAE:> 50% at 3.5 GHz
Operating Voltage: 28 V
Low thermal resistance package

Spezifikationen

Product Category	RF MOSFET Transistors	Transistor Polarity	N-Channel
Technology	GaN-on-SiC	Id - Continuous Drain Current	12 A
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	28 V	Rds On - Drain-Source Resistance	-
Operating Frequency	3.5 GHz	Gain	14 dB
Output Power	107 W	Minimum Operating Temperature	- 40 C
Maximum Operating Temperature	+ 85 C	Mounting Style	Flange Mount
Moisture Sensitive	Yes	Pd - Power Dissipation	144 W
Product Type	RF MOSFET Transistors	Series	TGF2929
Factory Pack Quantity	25	Subcategory	MOSFETs
Type	RF Power MOSFET	Vgs - Gate-Source Voltage	145 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	- 2.9 V	Part # Aliases	TGF2929 1123811
Unit Weight	2.264236 oz

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