Bezahlverfahren
QPD1015L +BOM
RF JFET Transistors - 65W Power, 50V Voltage, DC to 3.7GHz Frequency Range, 20dB Gain, GaN Technology
SMD-
Hersteller:
-
Herstellerteil #:
QPD1015L
-
Datenblatt:
-
Transistor Type:
HEMT
-
Technology:
GaN-on-SiC
-
Operating Frequency:
3.7 GHz
-
Gain:
20 dB
-
EDA/CAD Modelle:
Verfügbarkeit: 7072 Stck
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QPD1015L Allgemeine Beschreibung
Product FeaturesFrequency: DC to 3.7 GHzOutput Power (P3dB)1: 70 WLinear Gain1: 20 dBTypical PAE3dB1: 74%Operating Voltage: 50 VLow thermal resistance packageCW and Pulse capableNote: 1 @ 2 GHz
Hauptmerkmale
- Frequency: DC to 3.7 GHz
- Output Power (P3dB)1: 70 W
- Linear Gain1: 20 dB
- Typical PAE3dB1: 74%
- Operating Voltage: 50 V
- Low thermal resistance package
- CW and Pulse capable
- Note: 1 @ 2 GHz
Spezifikationen
Product Category | RF JFET Transistors | Transistor Type | HEMT |
Technology | GaN-on-SiC | Operating Frequency | 3.7 GHz |
Gain | 20 dB | Transistor Polarity | N-Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 50 V | Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage | 145 V |
Id - Continuous Drain Current | 2.5 A | Output Power | 70 W |
Minimum Operating Temperature | - 40 C | Maximum Operating Temperature | + 85 C |
Pd - Power Dissipation | 64 W | Mounting Style | Screw Mount |
Configuration | Single | Development Kit | QPD1015LPCB401 |
Moisture Sensitive | Yes | Operating Temperature Range | - 40 C to + 85 C |
Product Type | RF JFET Transistors | Series | QPD1015L |
Factory Pack Quantity | 25 | Subcategory | Transistors |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | - 2.8 V | Unit Weight | 0.809714 oz |
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In Stock: 7.072
Minimum Order: 1
Menge. | Einzelpreis | Ext. Preis |
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1+ | - | - |
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