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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

US6J2TR +BOM

4.5V 1W capability at 1mA

Hersteller:

ROHM Semiconductor
Herstellerteil #:

US6J2TR
Datenblatt:

US6J2TR Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

P-Channel
Number Of Channels:

2 Channel
EDA/CAD Modelle:

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US6J2TR Allgemeine Beschreibung

Mosfet Array 20V 1A 1W Surface Mount TUMT6

Hauptmerkmale

➤ Solid State SmartSpot Indicator
➤ Time delay for motor starting and transformer inrush
➤ 300kA interrupting rating - self-certified, UL witnessed tests
➤ Extremely current limiting for low peak let-thru current
➤ Most current limiting UL class fuse
➤ Small footprint requires less mounting space and allows smaller, more economical fuse blocks
➤ Easy 2-to-1 selectivity for prevention of nuisance shutdowns
➤ Unique Class J dimensions prevent replacement errors
➤ High-visibility orange label gives instant recognition
➤ Metal-embossed date and catalog number for traceability and lasting identification
➤ Fiberglass body provides dimensional stability in harsh industrial settings
➤ High-grade silica filler ensures fast arc quenching
➤ Optional EI Indicator/Switch mount for AJT70 to 600 open fuse indication

Spezifikationen

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Transistor Polarity	P-Channel
Number of Channels	2 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	20 V
Id - Continuous Drain Current	1 A	Rds On - Drain-Source Resistance	570 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 12 V, + 12 V	Pd - Power Dissipation	1 W
Channel Mode	Enhancement	Series	US6J2
Configuration	Dual	Fall Time	10 ns
Height	0.77 mm	Length	2 mm
Product Type	MOSFET	Rise Time	8 ns
Factory Pack Quantity	3000	Subcategory	MOSFETs
Transistor Type	2 P-Channel	Type	MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time	25 ns	Typical Turn-On Delay Time	9 ns
Width	1.7 mm	Part # Aliases	US6J2
Unit Weight	0.000300 oz

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