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Siehe Technische Spezifikationen

US6T5TR +BOM

Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR PNP

Hersteller:

ROHM Semiconductor
Herstellerteil #:

US6T5TR
Datenblatt:

US6T5TR Datenblatt (PDF)
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

PNP
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

30 V
EDA/CAD Modelle:

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US6T5TR Allgemeine Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor PNP 30 V 2 A 280MHz 400 mW Surface Mount TUMT6

Spezifikationen

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style	SMD/SMT
Transistor Polarity	PNP	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	30 V	Collector- Base Voltage VCBO	30 V
Emitter- Base Voltage VEBO	6 V	Maximum DC Collector Current	2 A
Pd - Power Dissipation	1 W	Gain Bandwidth Product fT	280 MHz
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Series	US6T5
DC Collector/Base Gain hfe Min	270	DC Current Gain hFE Max	270 at 200 mA, 2 V
Height	0.77 mm	Length	2 mm
Product Type	BJTs - Bipolar Transistors	Factory Pack Quantity	3000
Subcategory	Transistors	Technology	Si
Width	1.7 mm	Part # Aliases	US6T5

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