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ZXMHC3A01T8TA +BOM

COMPLEMENTARY 30V ENHANCEMENT MODE MOSFET H-BRIDGE, 1.3 W, RoHS

ZXMHC3A01T8TA Allgemeine Beschreibung

The drain source voltage for this MOSFET is 30V, with an on resistance of 0.12ohm at a test voltage of 10V. This low on resistance helps to minimize power loss and improve overall efficiency. The power dissipation for this component is rated at 1.3W, ensuring that it can handle moderate power levels without overheating

DIODES Inventar
DIODES Originalbestand
DIODES Inventar

Spezifikationen

Product Category MOSFET REACH Details
Technology Si Mounting Style SMD/SMT
Transistor Polarity N-Channel, P-Channel Number of Channels 4 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 30 V Id - Continuous Drain Current 3.1 A, 2.3 A
Rds On - Drain-Source Resistance 180 mOhms, 330 mOhms Vgs - Gate-Source Voltage - 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 1 V, 3 V Qg - Gate Charge 3.9 nC, 2.6 nC
Minimum Operating Temperature - 55 C Maximum Operating Temperature + 150 C
Pd - Power Dissipation 1.3 W Channel Mode Enhancement
Series ZXMHC3A Configuration Quad
Fall Time 2.3 ns Product MOSFET Small Signals
Product Type MOSFET Rise Time 2.3 ns
Factory Pack Quantity 1000 Subcategory MOSFETs
Transistor Type 2 N-Channel, 2 P-Channel Type Enhancement Mode Dual Channel
Unit Weight 0.002610 oz

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