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Siehe Technische Spezifikationen

ZXMN10A07FTA +BOM

N-channel MOSFET with a 0.8A rating and 100V capability, packaged in SOT23

Hersteller:

Diodes Incorporated
Herstellerteil #:

ZXMN10A07FTA
Datenblatt:

ZXMN10A07FTA Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

N-Channel
Number Of Channels:

1 Channel
EDA/CAD Modelle:

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ZXMN10A07FTA Allgemeine Beschreibung

Environmentally conscious consumers will appreciate that the ZXMN10A07FTA is RoHS compliant, meeting stringent environmental standards. Whether it's power management, voltage regulation, or DC-DC conversion, this MOSFET transistor delivers top-notch performance in various low-voltage scenarios

Hauptmerkmale

10A continuous drain current
75V drain-source voltage
Low on-resistance
Fast switching speed
Low gate charge
ESD protection
RoHS compliant
Small and lightweight
High power density
Designed for switching applications in power supplies and motor control

Anwendung

Aerospace applications
Marine electronics
Computer peripherals

Spezifikationen

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	100 V
Id - Continuous Drain Current	800 mA	Rds On - Drain-Source Resistance	700 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	2 V
Qg - Gate Charge	2.9 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	806 mW
Channel Mode	Enhancement	Series	ZXMN10A07
Configuration	Single	Fall Time	2.1 ns
Forward Transconductance - Min	1.6 S	Height	1.02 mm
Length	3.04 mm	Product	MOSFET Small Signals
Product Type	MOSFET	Rise Time	1.5 ns
Factory Pack Quantity	3000	Subcategory	MOSFETs
Transistor Type	1 N-Channel	Type	MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time	4.1 ns	Typical Turn-On Delay Time	1.8 ns
Width	1.4 mm	Unit Weight	0.000282 oz

Servicerichtlinien und andere

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