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Siehe Technische Spezifikationen

ZXTN25100DGTA +BOM

High Gain BJT NPN Bipolar Transistors rated at 100V

Hersteller:

Diodes Incorporated
Herstellerteil #:

ZXTN25100DGTA
Datenblatt:

ZXTN25100DGTA Datenblatt (PDF)
Pbfree Code:

No
Part Life Cycle Code:

Active
Pin Count:

4
Reach Compliance Code:

not_compliant
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an ZXTN25100DGTA

ZXTN25100DGTA Allgemeine Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 3 A 175MHz 3 W Surface Mount SOT-223-3

Hauptmerkmale

High power dissipation SOT223 package
High gain
Low saturation voltage
180V forward blocking voltage
6V reverse blocking voltage

Anwendung

SWITCHING

Spezifikationen

Pbfree Code	No	Part Life Cycle Code	Active
Pin Count	4	Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN Code	EAR99	Factory Lead Time	34 Weeks
Case Connection	COLLECTOR	Collector Current-Max (IC)	3 A
Collector-Emitter Voltage-Max	100 V	Configuration	SINGLE
DC Current Gain-Min (hFE)	40	JEDEC-95 Code	TO-261AA
JESD-30 Code	R-PDSO-G4	JESD-609 Code	e3
Moisture Sensitivity Level	1	Number of Elements	1
Number of Terminals	4	Operating Temperature-Max	150 °C
Peak Reflow Temperature (Cel)	260	Polarity/Channel Type	NPN
Power Dissipation-Max (Abs)	7.3 W	Qualification Status	Not Qualified
Surface Mount	YES	Terminal Finish	MATTE TIN
Terminal Form	GULL WING	Terminal Position	DUAL
Transistor Application	SWITCHING	Transistor Element Material	SILICON
Transition Frequency-Nom (fT)	175 MHz

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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