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Siehe Technische Spezifikationen

2N3440 +BOM

250V 800mW 40@20mA,10V 1A NPN TO-39(TO-205AD) Bipolar Transistors - BJT ROHS

Hersteller:

Microchip
Herstellerteil #:

2N3440
Datenblatt:

2N3440 Datenblatt (PDF)
Mounting Style:

Through Hole
Transistor Polarity:

NPN
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

250 V
EDA/CAD Modelle:

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2N3440 Allgemeine Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor NPN 250 V 1 A 15MHz 1 W Through Hole TO-39

Spezifikationen

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style	Through Hole
Transistor Polarity	NPN	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	250 V	Collector- Base Voltage VCBO	300 V
Emitter- Base Voltage VEBO	7 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	500 mV
Maximum DC Collector Current	1 A	Pd - Power Dissipation	800 mW
Minimum Operating Temperature	- 65 C	Maximum Operating Temperature	+ 200 C
Product Type	BJTs - Bipolar Transistors	Factory Pack Quantity	1
Subcategory	Transistors	Technology	Si
Unit Weight	0.572232 oz

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