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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

2N3719 +BOM

Fast switching and high-frequency operation up to M

Hersteller:

Microchip
Herstellerteil #:

2N3719
Datenblatt:

2N3719 Datenblatt (PDF)
Mounting Style:

Through Hole
Transistor Polarity:

PNP
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

40 V
EDA/CAD Modelle:

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2N3719 Allgemeine Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor PNP 40 V 3 A 60MHz 6 W Through Hole TO-5AA

Spezifikationen

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style	Through Hole
Transistor Polarity	PNP	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	40 V	Collector- Base Voltage VCBO	40 V
Emitter- Base Voltage VEBO	4 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	750 mV
Maximum DC Collector Current	10 A	Pd - Power Dissipation	6 W
Gain Bandwidth Product fT	60 MHz	Minimum Operating Temperature	- 65 C
Maximum Operating Temperature	+ 200 C	Continuous Collector Current	3 A
DC Collector/Base Gain hfe Min	25 at 1 A, 1.5 VDC	DC Current Gain hFE Max	180 at 1 A, 1.5 VDC
Product Type	BJTs - Bipolar Transistors	Factory Pack Quantity	1
Subcategory	Transistors	Technology	Si

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