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Siehe Technische Spezifikationen

2N3725 +BOM

Bipolar (BJT) Transistor NPN 50 V 1 A 800 mW Through Hole TO-5

Hersteller:

MICROCHIP
Herstellerteil #:

2N3725
Datenblatt:

2N3725 Datenblatt (PDF)
Part Life Cycle Code:

Active
Reach Compliance Code:

compliant
Collector Current-Max (IC):

0.5 A
Collector-Emitter Voltage-Max:

50 V
EDA/CAD Modelle:

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2N3725 Allgemeine Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor

Spezifikationen

Part Life Cycle Code	Active	Reach Compliance Code	compliant
Collector Current-Max (IC)	0.5 A	Collector-Emitter Voltage-Max	50 V
Configuration	SINGLE	DC Current Gain-Min (hFE)	25
JEDEC-95 Code	TO-39	JESD-30 Code	O-MBCY-W3
JESD-609 Code	e0	Number of Elements	1
Number of Terminals	3	Operating Temperature-Max	200 °C
Polarity/Channel Type	NPN	Power Dissipation-Max (Abs)	0.8 W
Qualification Status	Not Qualified	Surface Mount	NO
Terminal Finish	TIN LEAD	Terminal Form	WIRE
Terminal Position	BOTTOM	Transistor Application	SWITCHING
Transistor Element Material	SILICON	Transition Frequency-Nom (fT)	300 MHz
Turn-off Time-Max (toff)	60 ns	Turn-on Time-Max (ton)	35 ns

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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