Diese Website verwendet Cookies. Durch die Nutzung dieser Website stimmen Sie der Verwendung von Cookies zu. Weitere Informationen finden Sie in unseren Datenschutzrichtlinie.

Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

2N3771 +BOM

High-Power Bipolar Transistors

Hersteller:

Onsemi
Herstellerteil #:

2N3771
Datenblatt:

2N3771 Datenblatt (PDF)
Factory Pack Quantity:

1
Technology:

Si
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an 2N3771

Email: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

2N3771 Allgemeine Beschreibung

The 20 A, 60 V NPN Bipolar Power Transistor is designed for linear amplifiers, series pass regulators and inductive switching applications.

Hauptmerkmale

Silicon Epitaxial Planar Structure
High-Speed Switching and Amplification
Low-Noise and High-Gain Performance
Pb-Free and RoHS Compliant Packaging
Compact and Low-Inductance Design
Wide Operating Temperature Range

Spezifikationen

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Product Type	BJTs - Bipolar Transistors
Factory Pack Quantity	1	Subcategory	Transistors
Technology	Si

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

Zahlung

Bezahlverfahren

TT/Überweisung

Paypal

Western Union

Geldgramm

Für alternative Zahlungskanäle kontaktieren Sie uns bitte unter:

[email protected]

Versand & Verpackung

Versandart

Fedex

UPS

DHL

NTN

Verpackung

AVAQ bestimmt und verpackt alle Geräte auf der Grundlage der Schutzanforderungen gegen elektrostatische Entladung (ESD) und Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL)..